삼성, 1cnm DRAM 생산 확대 계획: 2026년 월 생산 능력 목표는 웨이퍼 20만장

삼성전자는 HBM4 시장 기회를 잡기 위해 1cnm D램 생산능력 확대에 박차를 가하고 있다.계획에 따르면 2026년 2분기에는 월 생산능력을 14만장까지 늘리고, 4분기에는 월 20만장까지 늘리는 것이 목표다. 이러한 노드는 장비 설정 단계에 해당하며 각 단계에서 대량 생산 준비를 목표로 합니다.

현재,삼성의 전체 DRAM 생산능력은 월 65만~70만장 정도이다. 이는 최신 1cnm D램 생산능력이 단기간에 전체 생산능력의 약 30%에 도달한다는 의미다.생산 증가율은 2022년 반도체 호황기 월 13만장 증설 규모를 넘어섰다.

이 목표를 달성하기 위해 삼성은 기존 DRAM 생산 라인의 기술 혁신을 통한 전환을 달성하는 한편, 평택 P4 공장에 대한 신규 투자에 의존했습니다.

이러한 적극적인 생산 확대는 1cnm DRAM 기술과 시장 수요에 대한 삼성의 높은 신뢰를 반영합니다. 최근 D램 시장은 인공지능(AI)을 중심으로 한 수요 강세로 공급 부족 현상을 겪고 있다.

같은 기회에 경쟁사인 SK하이닉스도 2025년 1cnm D램 양산을 시작해 2026년 본격 생산에 들어갈 계획이다. 2026년 말까지 국내 일반 D램 생산량의 절반 이상이 1cnm 공정에서 나올 것으로 예상되며, LPDDR과 GDDR을 포함한 완전한 1cnm 제품 라인업이 형성될 것으로 예상된다.