삼성전자는 D램 제조 전략 조정을 검토하고 있으며, 당초 HBM3E 메모리 생산에 사용됐던 1a나노 공정 일반 D램 생산능력을 30~40% 줄일 계획이다.이어 삼성전자는 공정전환을 통해 표준 메모리 제품(DDR5, LPDDR5x 등)에 적합한 10억나노 공정 캐파를 확대해 전체 이익을 극대화한다는 계획이다.
AI 수요 폭발, HBM의 핵심 생산능력 확보, 단기 생산 확대 제한 등으로 최근 DDR5, LPDDR5x, GDDR7 등 일반 메모리 제품 가격이 급등했다.
삼성전자의 경우 현재 1b나노 공정 생산능력이 1a나노 공정을 넘어섰다. 전통적으로 HBM의 높은 가격으로 수익성 측면에서 수혜를 입었다고 여겨졌기 때문이다.
삼성은 결국 엔비디아의 HBM3E 공급업체가 되는 데 성공했지만, 공급 규모가 상대적으로 제한적이었고, 삼성의 HBM3E 자체의 평균 판매가격도 경쟁사인 SK하이닉스보다 30% 낮았다.
이러한 요인을 토대로 시장 참여자들은 삼성전자가 1a나노 공정 생산능력의 30~40%와 1z나노 등 성숙 공정 생산능력을 10억나노로 전환할 경우 10억나노 공정의 월 웨이퍼 생산량이 8만장 더 늘어나 삼성 전체 수익성에 큰 도움이 될 것으로 분석하고 있다.
