생성 인공 지능(GAI)이 주도하는 컴퓨팅 파워의 물결 속에서, 세계 최고의 웨이퍼 파운드리인 TSMC는 초고도 공정의 레이아웃을 최고 속도로 발전시키고 있습니다. 2나노 양산 전후를 동시에 1나노 시대의 기반을 마련해 고급 공정 분야에서 삼성과의 격차를 더욱 벌린다는 계획이다.
보고서에 따르면 2나노미터 칩의 첫 번째 배치가 올해 안에 공개될 것으로 예상되며 대부분의 대규모 고객은 TSMC의 N2 및 N2P 프로세스 노드를 사용할 것이지만 이는 고급 프로세스 경쟁의 시작점일 뿐입니다. TSMC는 2나노미터 미만의 "천장"을 넘어서는 생산 경로를 계획하기 시작했고 1나노미터 공정에 대한 예비 준비에 착수했습니다. 이를 통해 향후 몇 년 동안 고성능 및 에너지 효율적인 칩 제조 시장에서 지배적 위치를 계속해서 확고히 하기를 희망하고 있습니다.
TSMC는 계속되는 주문 수요 급증에 대응하고 장기적인 생산 확대 계획을 고려하기 위해 현재 1나노 관련 생산라인을 포함해 총 12개 공장을 신설하고 있다. 이들 공장은 2나노미터, A14(약 1.4나노미터) 및 후속 고급 노드의 중요한 생산 기지가 될 것입니다. 인공지능, 데이터센터, 고급 휴대폰, 개인용 컴퓨터 등 첨단 공정에 대한 수요가 급증하는 가운데 TSMC는 이번 자본 및 기술 경쟁에서 가장 잘 준비된 기업 중 하나로 꼽힌다.
하지만 현장 기획부터 정식 양산까지는 여전히 시간이 걸린다. 보도에 따르면 TSMC가 Longtan 확장 계획의 3단계를 통해 새로운 공장 부지를 확보하는 과정은 2029년까지 공식적으로 시작될 것으로 예상되지 않습니다. 이는 1나노미터 공정의 대규모 대량 생산이 2030년 또는 2031년까지 실현되지 않을 수 있음을 의미합니다. 업계 관계자는 첨단 공정 노드의 연구 개발, 검증 및 공장 건설에는 긴 주기와 높은 투자가 필요하다고 지적했습니다. TSMC는 생산 능력 확보뿐만 아니라 경쟁사와의 '시간 경쟁'에서 기회를 포착하기 위해 사전 배치를 선택했습니다.
이와 대조적으로 삼성의 고급 프로세스 노드 속도도 가속화되고 있지만 직면한 과제는 더욱 두드러집니다. 보고서는 삼성전자가 2029년 1나노 웨이퍼 양산을 시작할 계획이며, 미국에 2나노 공정 생산 공장 건설에 앞장서며 지리적 배치와 기술 혁신을 통해 파운드리 경쟁력을 높이려 노력하고 있다고 언급했다. 그러나 삼성을 괴롭히는 핵심 문제는 노드 발전 속도가 아니라 장기적인 협력에 대한 고객의 신뢰에 직접적인 영향을 미치는 수율과 공정 안정성입니다.
기존 분석에서는 삼성이 TSMC보다 먼저 2나노 공정을 대규모로 도입할 기회를 잡더라도 여전히 고객군 내 포지셔닝은 TSMC와 정면으로 경쟁할 수 있는 1차 선호 파운드리보다는 '대체 솔루션'에 더 가까울 것이라는 점을 지적했다. 수율과 신뢰성이 크게 향상되어야 삼성은 고급 파운드리 시장에서 더 많은 핵심 주문을 확보하고 TSMC의 현재 선두 위치를 진정으로 흔들 수 있습니다.
이러한 맥락에서 삼성은 고객 기반을 확대하고 하이엔드 프로세스 전쟁에서 TSMC와의 격차를 좁히기를 희망하면서 프로세스 성숙도와 수율 개선의 대가로 장기간 2nm 노드를 유지할 것으로 믿어집니다. 하지만 현재 추이를 보면 TSMC는 2030년쯤 1나노 양산을 목표로 삼고 있다. 예정대로 진행되면 앞으로 몇 년간 초고도 제조공정 분야에서 확실한 선두를 유지할 것으로 보인다.
업계 분석가들은 AI 추론 및 훈련 칩, 초대형 데이터 센터, 에너지 효율성에 민감한 고급 단말 장비를 중심으로 1나노미터 이하의 노드가 다음 단계에서 자본 및 기술 경쟁의 초점이 될 것이라고 믿고 있습니다. TSMC와 삼성이 각각 레이아웃을 가속화함에 따라 고급 파운드리 시장의 경쟁은 더욱 치열해질 것입니다. 그러나 가까운 미래에도 TSMC는 프로세스 성숙도, 규모의 경제, 고객 구조의 이점을 바탕으로 1nm로 가는 길에서 여전히 우위를 점할 것입니다.