삼성전자는 듀얼 트랙 패키징 전략을 추진하고 있으며 온양 신공장을 연내 완공하고 내년부터 장비를 정식 도입할 계획이다. 이 공장은 고대역폭메모리(HBM) 첨단 패키징 생산에 활용돼 천안공장의 생산능력 압박을 분산시키는 한편, 기존 온양의 범용 D램 패키징 생산라인을 베트남으로 이전하게 된다.
반도체 업계 소식에 따르면 삼성전자 온양 신공장 준공을 앞두고 있다. 이 공장은 TSV(Through Silicon Via) 기술을 기반으로 한 고급 패키징 생산 라인을 구축할 예정입니다. 고부가가치 제품인 HBM은 DRAM 전처리 과정을 거친 뒤 TSV 드릴링, 수직 적층, 열압착 본딩 등 패키징 공정을 거쳐야 한다. 현재 삼성전자는 평택공장에서 pre-DRAM 공정을 완료하고, 천안공장은 패키징을 담당하고 있다.
사진 소스 네트워크
글로벌 HBM 수요 급증에 따라 삼성전자는 평택 4공장(P4) 건설에 박차를 가하고 있으며, 하반기 평택 5공장(P5) 1단계 착공을 계획하고 있다. P4와 P5 생산라인의 일부는 6세대 HBM4에 필요한 1c나노급 D램을 생산하는 데 쓰인다. 평택의 전공정 확장에 맞춰 삼성전자도 TSV 패키징 생산능력을 늘려야 한다. 업계 관계자는 천안공장의 C1, C2, C3 생산라인은 이미 풀가동 중이어서 더 이상 증설이 불가능한 반면, 온양공장은 공간이 더 넓어 이곳으로 증설을 결정했다고 지적했다.
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삼성전자는 천안의 첨단 패키징 인력 일부를 온양으로 이전하는 동시에 온양의 일반 DRAM 패키징 인력을 베트남으로 이동해 점진적으로 듀얼 트랙 제품 패키징을 실현할 계획이다. 이 계획은 5년 내로 단계적으로 추진될 예정이며, 아직까지 실제 인력 이동은 이뤄지지 않았다. 베트남 공장은 우선 한국 직원을 대거 파견해 생산라인을 구축하고, 앞으로 현지 직원 비율을 점차 늘려나갈 예정이다.
올해 삼성전자 HBM 매출은 전년 대비 3배 이상 늘어날 것으로 예상된다. 이 중 2월 양산해 출하될 HBM4는 하반기 공급을 확대해 3분기부터 회사 전체 HBM 매출의 절반 이상을 차지할 예정이다. 올해 HBM4 주문은 모두 완판됐으며, 글로벌 수요에 대응하기 위해 HBM 생산능력을 지난해보다 약 50% 확대할 계획이다.