요약:
GlobalFoundries(GF)는 로봇, 자동차, 산업 자동화 등 '물리적 AI' 장비를 위한 저전력 고집적 칩 제공을 목표로 하는 FDX Fusion 완전 공핍 실리콘 온 절연체(FD-SOI) 공정 경로를 발표했습니다. 회사는 1세대 FDX Fusion이 '7nm 수준의 디지털 성능'을 달성할 것으로 예상되며 2028년 독일 드레스덴 공장에서 생산을 시작할 계획이라고 밝혔습니다.
이 진술은 디지털 로직 성능 수준을 의미하며 GF가 2018년에 중단된 7nm FinFET 공정을 재개했다는 의미는 아니며, 다른 팹의 7nm 공정 노드나 트랜지스터 밀도와 직접적으로 동일할 수도 없습니다.
FDX Fusion은 GF의 FD-SOI 경로를 이어갑니다. 이 기술은 실리콘 층 아래에 절연 층을 설정하고 백바이어스 조정을 지원합니다. 이는 작업 부하에 따라 전력 소비와 성능 사이에서 조정될 수 있습니다. GF는 누출을 줄이고 에너지 효율성을 최적화하는 데 도움이 되며 무선 주파수, 아날로그 및 디지털 회로를 통합하는 데 적합하다고 말했습니다. 새로운 플랫폼은 또한 내장형 비휘발성 메모리, 인메모리 컴퓨팅 및 고밀도 로직을 통합할 계획입니다. GF가 발표한 지표에는 무선 주파수 장치의 ft/fmax가 최대 0.5테라헤르츠에 도달할 수 있고 1세대 FDX 프로세스의 밀도가 두 배 이상 증가했다는 내용이 포함되어 있습니다. 회사는 아직 외부 독립적 검증을 위한 충분한 세부 설계 데이터를 공개하지 않았습니다. 여기서 0.5테라헤르츠는 칩 프로세서의 작동 주파수가 아닌 무선 주파수 장치의 지표입니다.
GF는 이 프로세스를 물리적 AI, 즉 에지 추론, 센서 융합, 로봇 공학, 자동화 장비, 자동차 전자 장치, 자율 시스템 및 지능형 연결 장치를 포함하여 장치가 환경을 로컬로 감지하고 데이터를 처리하며 적시에 응답하는 애플리케이션에 위치시킵니다. 설계 초점은 단순히 가장 작은 트랜지스터를 추구하는 것이 아니라 동일한 플랫폼에 감지, 컴퓨팅, 무선 통신, 제어 및 스토리지를 통합하여 시스템 복잡성, 대기 시간 및 전력 소비를 줄이는 데 있습니다. GF는 일부 고객과 초기 평가를 진행했지만 아직 구체적인 칩 제품이나 양산 고객 주문을 발표하지 않았다고 밝혔다.
회사의 로드맵에 따르면 FDX Fusion 데모 칩은 평가를 위해 2027년 초에 고객에게 인도될 예정이며, 프로세스 설계 키트의 첫 번째 버전은 2027년 중반에 제공될 예정이며, 대량 생산 목표는 2028년입니다. GF는 또한 드레스덴 FDX Fusion 프로젝트의 개발은 여전히 독일 연방 정부가 다가오는 IPCEI 첨단 반도체 기술 프로젝트를 승인하는지 여부에 달려 있으므로 로드맵에는 여전히 정책 승인이 있다고 설명했습니다. 조건.
이 경로는 GF가 2018년에 중단한 프로젝트와는 다릅니다. 당시 회사는 보다 차별화된 공정과 시장에 자원을 집중할 것이라는 이유로 7나노 FinFET의 연구 개발을 보류했습니다. 새로 발표된 FDX Fusion은 FD-SOI를 기반으로 하며 저전력 소비, 무선 주파수 및 혼합 신호 통합에 중점을 둡니다. GF는 또한 2028년 말까지 공장의 연간 생산 능력을 300mm 웨이퍼 100만 개 이상으로 늘리는 것을 목표로 드레스덴에서 11억 유로 규모의 SPRINT 확장 계획을 추진하고 있습니다. 이번 용량 확장은 공장의 전체 사업을 포괄하며, FDX Fusion에 전부 사용되는 것은 아닙니다.
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