요약:
멤실리콘은 1TnR 기술 루트를 기반으로 한 1세대 고밀도, 대용량 RRAM 칩 'MountTai 2026'의 테이프아웃을 완료했다고 발표했습니다.
'태산 No.1'은 멤실리콘이 초기 연구부터 Gb급 칩 상용화까지 1TnR 고용량·대용량 메모리 신기술 고도화에 이정표를 세운 것으로 전해진다. 이 기술 경로는 선택 트랜지스터를 여러 저항 스위칭 메모리 셀과 공유하여 단위 면적당 저장 용량을 늘리고 CMOS 플랫폼과 완벽하게 호환되는 백엔드 통합 방법을 사용하여 밀도, 용량 및 비용을 모두 달성합니다.
이 칩은 28nm CMOS 프로세스 플랫폼과 1T4R 단위 구조를 사용하며 단일 칩 용량은 1Gb, 밀도는 30Mb/mm², 액세스 지연은 20ns 미만이며 통합 온칩 하드웨어 오류 수정 회로가 있습니다. 대용량, 고밀도 및 고속 판독 간의 협업적 혁신을 달성하고 온칩 고밀도 및 대용량의 새로운 비휘발성 스토리지 애플리케이션을 위한 국제적으로 경쟁력 있는 솔루션을 제공합니다.
현재 '태산1호'는 테이프아웃을 완료하고 검증을 진행 중이다.
"Taishan No.1"은 1T4R 구조를 채택합니다. 즉, 하나의 선택 트랜지스터가 4개의 저항 스위칭 메모리 셀에 해당합니다. 그러나 트랜지스터를 공유한다고 해서 메모리 셀 수의 밀도와 성능이 비례적으로 증가하는 것은 아닙니다. 여러 메모리 셀 간의 비대상 전류 경로, 읽기 및 쓰기 간섭, 다양한 작동 조건에서의 신뢰성은 모두 장치, 프로세스 및 회로 설계의 공동 최적화가 필요합니다.
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