중국의 메모리칩 기술이 세계 최고 수준을 따라잡는 데 속도를 내고 있다. 한국산업협회는 일부 분야에서 격차가 1~3년으로 좁혀졌다고 밝혔다.

📅 2026-09-16

요약:

중국의 메모리반도체 산업은 전례 없는 속도로 세계 유수의 제조업체와의 기술 격차를 줄여나가고 있습니다. 한국반도체산업협회의 최근 평가에 따르면, 중국 양대 메모리 기업인 양쯔강메모리(YMTC)와 창신메모리(CXMT)가 핵심 기술 분야에서 상당한 추격을 달성했다. 이 중 낸드플래시메모리 분야에서는 약 1년, D램 분야에서는 약 2년, 고대역폭메모리(HBM) 분야에서는 약 3년 정도 기술 격차가 좁혀졌다.

이번 평가 결과는 한국 반도체 업계의 큰 관심을 끌었습니다. 불과 몇 년 전만 해도 업계에서는 일반적으로 중국 메모리 산업과 국제 선진 수준 사이에 거의 5년에 가까운 기술 세대 격차가 있다고 생각했다는 점에 주목할 필요가 있습니다. 오늘날 이러한 격차는 여러 부문에서 크게 압축되었으며, 이는 최근 몇 년간 중국 스토리지 산업의 발전 속도가 시장 기대치를 훨씬 뛰어넘었음을 보여줍니다.

낸드플래시 메모리 분야에서는 양쯔강 메모리가 가장 눈에 띄는 발전을 이룬 것으로 평가된다. 중국 최대 NAND 제조업체인 이 회사는 최근 몇 년간 높은 수준의 디지털 3D NAND 기술에 대한 연구 개발을 지속적으로 추진해 왔습니다. 업계 자료에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스가 2025년 300단 낸드 제품 양산을 시작하면 양쯔메모리는 이미 270단 제품 생산 능력을 갖추게 됐다. 현재 개발 경로에 따르면 양쯔메모리는 2027년 400급 NAND 제품을 선보일 것으로 예상되는데, 이는 양쯔메모리와 해외 선두 기업 간의 시간 격차가 약 1년 정도로 더욱 단축된다는 뜻이다.

DRAM 분야의 발전도 주목받고 있습니다. 국내 기업인 삼성전자와 SK하이닉스가 2023년부터 DDR5 제품 양산을 시작하고, 창신메모리는 2025년부터 DDR5 시대에 돌입해 국제 최고 수준과 약 2년 정도의 기술 격차를 유지할 것으로 풀이된다. 그러나 Changxin Memory는 최근 몇 년 동안 제품 반복을 크게 가속화했습니다. LPDDR5X 양산을 달성했을 뿐만 아니라 LPDDR6 제품 생산도 본격화해 시장 경쟁력을 더욱 강화했다.

NAND 및 기존 DRAM과 비교할 때 고대역폭 메모리 HBM은 여전히 ​​중국 스토리지 업계에서 가장 도전적인 기술 분야로 간주됩니다. 현재 업계 평가에 따르면 중국의 HBM 기술과 국제 선도 수준 사이에는 여전히 약 3년의 격차가 있는 것으로 보입니다. Changxin 메모리가 HBM3E 제품의 시험 생산을 시작했지만 수율은 여전히 ​​낮은 수준입니다. 특히 수직 상호 연결을 통한 TSV 관통 실리콘과 같은 핵심 제조 링크에서는 여전히 명백한 기술적 과제에 직면해 있습니다.

HBM 연구 개발을 가속화하기 위해 중국 스토리지 회사는 보다 혁신적인 기술 경로를 시도하고 있습니다. 보고서는 Changxin Storage가 Yangtze Storage의 성숙한 Xtacking 하이브리드 본딩 기술을 사용하여 HBM 제품을 구축하기 위해 Yangtze Storage와 협력하고 있다고 지적했습니다. 이번 구리-구리 하이브리드 접합 기술은 마이크로 범프를 통해 메모리 칩을 연결하는 기존 방식과 달리, 서로 다른 웨이퍼 층을 직접 연결할 수 있어 회로 경로를 단축하고 적층 효율을 높일 수 있으며, 첨단 EUV 노광 장비에 대한 의존도를 어느 정도 줄일 수 있을 것으로 기대된다.

분석가들은 최근 중국 저장업체들의 진전이 실험실 기술 검증 단계뿐 아니라 제품 대량생산과 산업화 역량에서도 반영되고 있다고 보고 있다. 생산 능력의 확장, 인재의 축적 및 현지 장비 지원 시스템의 점진적인 개선으로 인해 중국의 스토리지 산업은 과거의 단순한 포수에서 국제 경쟁력을 갖춘 중요한 시장 플레이어로 점차 변모하고 있습니다.

한국 스토리지 업계에 있어서도 이러한 변화는 큰 의미를 갖는다. 삼성전자와 SK하이닉스는 오랫동안 글로벌 스토리지 시장에서 선두 자리를 지켜왔지만, 중국 업체들이 격차를 계속 좁혀가면서 앞으로 시장 경쟁은 더욱 치열해질 것으로 예상된다.

첨단 HBM 제품과 일부 고급 프로세스 측면에서 중국 기업은 여전히 ​​국제 선두 제조업체에 뒤처져 있지만 업계 관찰자들은 일반적으로 Yangtze Memory와 Changxin Memory가 최근 몇 년 동안 많은 사람들이 예상했던 것보다 빠르게 따라잡았다고 믿고 있습니다. 현재의 개발 추세가 계속된다면 글로벌 스토리지 산업 환경은 향후 몇 년 내에 새로운 변화를 가져올 수 있습니다.

관련 태그

관련 글

댓글

0/500
Captcha (click to refresh)
댓글 없음