요약:
CNBC는 화요일에 Changxin Storage의 기술적 혁신에 초점을 맞춘 기사를 게재했습니다. 기사에서는 창신 스토리지가 그다지 알려지지 않았을 수도 있지만, 그 기술 혁신으로 인해 글로벌 스토리지 거대 기업의 주가가 집단적으로 급락했다고 밝혔습니다.
창신 저장소
CNBC는 창신메모리가 글로벌 메모리칩 제조사들의 주요 경쟁업체라고 전했다. 현재 업계 거대 기업으로는 마이크론, SK 하이닉스, 삼성 등이 있습니다. 그러나 지난 주말 Changxin Storage는 새로운 아키텍처의 연구 개발에 진전이 있었다고 발표했습니다. 이 아키텍처를 사용하면 더 적은 공간에 더 많은 데이터를 저장할 수 있으므로 스토리지 밀도가 높아집니다.
화요일에 마이크론 주가는 3.62% 하락했습니다. 한국에 상장된 SK하이닉스 주가는 10% 하락했고, 삼성전자 주가는 7.4% 하락했다. 샌디스크(SanDisk), 씨게이트(Seagate), 웨스턴디지털(Western Digital) 등 기타 메모리칩 관련주도 하락했다.
새로운 기술 혁신
CNBC는 올 여름 블록버스터 IPO 이전에는 Changxin Storage가 중국 시장 외부에는 거의 알려지지 않았다고 말했습니다. 하지만 올해 7월 출시된 이후 단숨에 전 세계의 관심을 끌었습니다. 이 회사의 주가는 상하이 과학기술혁신위원회 상장 첫날 466% 가까이 급등해 당시 중국 상장기업 중 시가총액 1위 기업이 됐다.
CNBC는 창신메모리 상장 이후 시장에서 가장 우려되는 이슈 중 하나는 특히 AI 칩 시스템의 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM) 분야에서 마이크론, 삼성, SK하이닉스와의 기술 격차를 좁힐 수 있을지 여부였다고 지적했다.
마이크론 주가는 3.62% 하락 마감했습니다.
그러나 국내 언론 보도에 따르면 창신 메모리의 카오 칸위 사장은 지난 10월 10일 제4회 통합 칩 및 칩 컨퍼런스에서 새로운 DRAM 기술 진전을 공개했다. 카오 칸위는 4F²라는 DRAM 아키텍처를 소개하며 창신 메모리가 연말까지 이 기술을 적용한 차세대 DDR5 RDIMM 제품을 출시할 것으로 예상된다고 밝혔다.
Cao Kanyu는 이 아키텍처가 DRAM 스토리지 어레이 트랜지스터에 혁신을 가져왔다고 말했습니다. VSG(Vertical Surrounded Gate) 트랜지스터는 수직 주변 채널 구조를 채택하여 더 강력한 게이트 제어를 달성하고 누출 및 단채널 효과의 문제점을 해결합니다. 수직 트랜지스터는 면적을 줄이고 저장 밀도를 높이는 데 도움이 됩니다.
CNBC는 새로운 아키텍처 설계가 '4F²' 기술을 기반으로 하며 더 높은 저장 밀도를 달성할 수 있다고 밝혔습니다. SK하이닉스도 4F² 설계를 고도화하고 있으며, 이 기술을 2025년 개발 로드맵을 발표했다.
분석가들은 일반적으로 Changxin Storage가 최첨단 스토리지 기술의 연구 및 개발에서 글로벌 경쟁업체에 비해 뒤떨어져 있다고 생각합니다. 따라서 기술 혁신에 관한 모든 소식은 글로벌 경쟁사의 시장 이점에 대한 투자자의 인식에 큰 영향을 미칠 수 있습니다.
시장 점유율 증가
수출 통제의 어려움에도 불구하고 Changxin Storage는 시장에서 상당한 발전을 이루었습니다.
지난 목요일 HSBC가 발표한 보고서에 따르면 창신메모리의 글로벌 D램 시장 점유율은 1년 전 약 4%에서 약 10%로 상승했다.
씨티그룹 애널리스트들은 지난 8월 보고서에서 "미국 정부가 중국에서 만든 메모리 칩이 미국에서 판매되는 것을 허용할 것 같지 않지만, 유럽 등 다른 지역의 데이터센터에 판매되는 제품이 마이크론에 간접적으로 영향을 미칠 수 있다"고 밝혔다.
애플은 중국에서 판매되는 장치에 사용할 Changxin 메모리의 DRAM 칩 테스트를 시작했으며 회사 제품의 더 폭넓은 사용을 허용하기 위해 미국 정부에 로비를 해왔다고 파이낸셜 타임즈가 7월에 이 문제에 정통한 소식통을 인용하여 보도했습니다.
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